心区域和I/O区域都已经生长了晶体管以后,沉积多晶硅层和硬掩模层(薄的⒏ON和PECVD二氧化硅)。 R1EX24256BSAS0I在沉积了栅层叠之后,将硬掩模进行图形化(使用掩模poly,并用对多晶硅表面有高选择性的离子刻蚀二氧化硅和s()N),然后去除光刻胶,使用Si()N和二氧化硅做硬掩模刻蚀多晶硅。去除⒏ON以后,使用氧化炉或快速热氧化(RTO)形成多晶硅栅层叠侧壁的再氧化(30A),来对氧化物中的损伤和缺陷进行退火(对栅层叠的离子刻蚀可能导致损伤或缺陷)。因为栅的形状决定了晶体管沟道的长度,也即决定了CMOS节点中的最小临界尺寸(CD),因此它需要硬掩模方案而不是光刻胶图形化方案来对栅层叠进行图形化,以期获得更好的分辨率和一致性。

   栅氧化的结果使得I/O晶体管的栅氧较厚(没有在这里显示出来)而核心晶体管的栅氧较薄。相对于简单的光刻胶图形化方案,硬掩模方案可以获得更好的分辨率和一致性。