PN结自建电压
发布时间:2017/10/11 21:50:16 访问次数:1482
热平衡状态下,半导体内的自建电压等于跨过整个耗尽区的电势差。由于热OB2353CPA平衡,意味着费米能级在整个PN结二极管内为常数,这个自建势将等于N型半导体费米能级EFn和P型半导体费米能级EⅡ之间的能级差除以电子电荷。它也等于N型半导体体电势¢n和P型半导体体电势∮p之和。基于体电势对应费米能级和本征能级之间的能级差,可以得到如下自建电压表达式:
理想PN结二极管方程:
对于理想二极管方程的推导,我们仍假定准费米能级在整个耗尽区恒定,在低注人条件型,在耗尽区边缘的少数载流子密度由下式给出:
其中△n和气p分别为N区和P区半导体的本征载流子浓度,ya为外加电压。利用这些边界少数载流子密度为边界条件求解扩散方程,并假设二极管为一个“长”二极管,得到少数载流子和电流分布表达.
热平衡状态下,半导体内的自建电压等于跨过整个耗尽区的电势差。由于热OB2353CPA平衡,意味着费米能级在整个PN结二极管内为常数,这个自建势将等于N型半导体费米能级EFn和P型半导体费米能级EⅡ之间的能级差除以电子电荷。它也等于N型半导体体电势¢n和P型半导体体电势∮p之和。基于体电势对应费米能级和本征能级之间的能级差,可以得到如下自建电压表达式:
理想PN结二极管方程:
对于理想二极管方程的推导,我们仍假定准费米能级在整个耗尽区恒定,在低注人条件型,在耗尽区边缘的少数载流子密度由下式给出:
其中△n和气p分别为N区和P区半导体的本征载流子浓度,ya为外加电压。利用这些边界少数载流子密度为边界条件求解扩散方程,并假设二极管为一个“长”二极管,得到少数载流子和电流分布表达.
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