补偿隔离的形成如图3,7所示。沉积一薄层氮化硅或氮氧硅(典型的厚度为50至150A), R1EX24256BTAS0A然后进行回刻蚀,在栅的侧壁上形成一薄层隔离。补偿隔离用来隔开由于LDD离子注人(为了减弱段沟道效应)引起的横向扩散;对于90nm CMOS节点,这是-个可以选择的步骤,但对于65nm和45nm节点,这一步是必要的。在补偿隔离刻蚀后,剩下的氧化层厚度为~90A,在硅表面保留一层氧化层对于后续每步工艺中的保护而言是十分重要的。

   (补偿隔离可以补偿为了减少段沟道效应而采取的I'DD离子注人所引起的横向扩散)

   nLDD和pLDD的形成

   有选择的对n沟道MC〕S和p沟道MOS的轻掺杂漏极(LDD)离子注人如图3.8所示。完成离子注人后,采用尖峰退火技术去除缺陷并激活LDD注人的杂质。nI'DD和pLDD离子注入的顺序和尖峰退火或RTA的温度对结果的优化有重要影响,这可以归因于横向的暂态扩散。