隔离的形成
发布时间:2017/10/14 11:10:01 访问次数:556
接下来是主隔离的形成,如图3.9所示。沉积四乙基原硅酸盐一氧化物(Teos o蛀de,使用Teos前驱的CVD氧化物)和氮化硅的复合层,并对四乙基原硅酸盐-氧化物和氮化硅进行离子回刻蚀以形成复合主隔离[:1。R1EX24256BTAS0G隔离的形状和材料可以减小晶体管中热载流子的退化。
n+,p的源和漏(S/D)的形成如图3.10所示。RTA和尖峰退火被用来去除缺陷并激活在吖D注入的杂质。注人的能量和剂量决定了S/D的节深并会影响晶体管的性能L ml,较浅的源漏节深(相对于M()SFET的栅耗尽层宽度)将会显著地减小短沟道效应(SCE)。
接下来是主隔离的形成,如图3.9所示。沉积四乙基原硅酸盐一氧化物(Teos o蛀de,使用Teos前驱的CVD氧化物)和氮化硅的复合层,并对四乙基原硅酸盐-氧化物和氮化硅进行离子回刻蚀以形成复合主隔离[:1。R1EX24256BTAS0G隔离的形状和材料可以减小晶体管中热载流子的退化。
n+,p的源和漏(S/D)的形成如图3.10所示。RTA和尖峰退火被用来去除缺陷并激活在吖D注入的杂质。注人的能量和剂量决定了S/D的节深并会影响晶体管的性能L ml,较浅的源漏节深(相对于M()SFET的栅耗尽层宽度)将会显著地减小短沟道效应(SCE)。
上一篇：补偿隔离的形成
相关技术资料- 10-14隔离的形成
- 相关IC型号
- R1EX24256BTAS0G
- 暂无最新型号
公网安备44030402000607
