HEMT器件由于同样采用了肖特基势垒栅极,还是存在逻辑摆幅较小、抗噪声能力较弱、PAM242X栅极漏电现象严重等问题。Intel公司一直致力于研究将现在普遍采用的硅沟道替换成某种化合物半导体材料。InP基半导体材料是以InP单晶为衬底或缓冲层而生长出的化合物半导体材料,包括InGaAs、InAlAs、InGaAsP以及GaAssb等材料。这些材料突出的特点是材料的载流子迁移率高、种类非常丰富、带隙从0,7eV到接近2.0eV、有利于进行能带剪裁。InP基器件具有高频、低噪声、高效率、抗辐照等特点,成为毫米波电路的首选材料。 InP基HEMT采用InGaAs作为沟道材料,采用InP或InAlAs作为势垒层,这种结构的载流子迁移率可达100O0cm2/Vs以上。早在⒛O7年,htel公司就着手开展砷化铟镓(InGaAs)HEMT的研究开发工作[汪吲,当时采用的还是标准的HEMT器件结构,即没有栅极介质层的肖特基势垒栅极,栅极漏电现象非常严重。为此,2009年Intel公司在这种HEMT场效应晶体管的栅电极和势垒层之间插人了一个高虑栅介质层,并给其取名为量子阱场效应晶体管(Quantum Well FET,QW FET),如图1.19所示,极大地降低了栅极漏电流「59]。到了⒛10年,Intel公司将InGaAs HMET量子阱晶体管由平面结构过渡到二维FinFET结构。实验证实,这种短沟道器件加人高勿栅极介质后,栅极漏电电流减少到了只有原来的千分之一,同时等效电学氧化层厚度也减少了33%,从而可以获得更快的开关速度,最终能够大大改善芯片性能。