在广泛应用于计算机、消费电子和通信领域的关键技术中,半导体存储器技术占有一席之地。T435-600B-TR存储器的类别包括动态随机读取存储器(DRAM)、静态随机读取存储器(SRAM)、非易失性存储器(NVM)或者闪存(Flash)。当传统的CMOs技术在65nm及以后的节点面临速度与功耗的折中时,应变工程和新型叠栅材料(高乃和金属栅)可以将CMOS技术扩展到32nm以及以后的节点。然而在接近32nm节点时,高层次的集成度导致在功耗密度增加时速度却没有提升。有一种方法可以在系统层面降低功耗和提升速度,那就是将存储器和逻辑芯片集成在一起构成片上系统(SoC)。有趣的是,DRAM和闪存基于单元电容、选择晶体管和存储单元的尺寸缩小却导致了日益复杂化的工艺流程与CMOS基准的偏差。因此,如果基于当前的CM(DS与存储器集成技术,要实现存储与逻辑集成在SoC上的应用将是一个巨大的难题。

   幸运的是,最近在集成领域有一些非常重大的进展,比如铁电材料(如PZT(PbZrx Tlx(`),SBT(SrB1Ta2()9),BTO(B⒈T13012)体系),结构相变(如GST硫化物合金),电阻开关(如perovskite氧化物(SrTi03,SrZr03(SZ()),PCMO,PZTO等),过渡金属氧化物(如N←O,Ctt O,W-O,TiON,Zr C),F⒍O等),以及加速铁电存储器(FRAM)发展出的旋转隧道结(如MgO基的磁性隧道结)、相变存储器(PCRAM)、电阻存储器(RRAM)和磁性存储器(MRAM)等。另外,这些各式各样的存储器在CMOS后端线的集成与前端线流程完全兼容。因此,不仅这些存储器在将来有希望替代NVM和eDRAM,而且逻辑和存储一起都可以很容易被集成到MOS基准上。

   本节会依次回顾存储器技术的最新发展水平和工艺流程,接下来将分析CM()S逻辑和存储器的集成使得32nm及以后技术节点时实现高性能低功耗的∝)C成为可能。