由于G瘀基发光二极管成功地实现商业化生产,G岔N基发光二极管在各个领域得到了广泛的应用。 N25Q128A13BSF40G相对先前广泛使用的发光二极管,如基于GaAsP、AlGa、As、AlGaInP材料的生长在晶格匹配的导电衬底上的发光二极管,大多数GaN基LED生长在晶格不匹配的异质绝缘衬底(如蓝宝石)上。因此,GaN基LED由于衬底原因衍生出一系列独有的问题,如晶格不匹配,高密度的位错,侧向电流扩展,热力性质不匹配等。尤其是在低湿度的环境下,由于衬底是绝缘体,处理过程中产生的静电电荷很容易长时间蓄积起来。当这些蓄积的静电电荷释放的时候,产生的静电放电会损坏器件的性能甚至完全毁掉器件。因此,GaN基LED相较于其他类似器件对静电更敏感。在实际生产中,据美国国家标准学会(American National Standards Institutc,AN⒌)对半导体产业的调查显示,静电放电(EsD)损伤导致的平均产品损失在8%~33%。实际的生产线上,⒍N基LED出片数的5%存在ESD性能不达标而作废,同时发光波长过大和光功率过小的性能异常几乎均伴随有抗静电性能不达标的现象,也就说是LED芯片大多数性能异常均伴随EsD性能不达标的现象。

   因此对如何提高G瘀基LED的ESD性能的研究非常有必要。不仅能降低ESD性能不达标导致的废品率,还能对其他性能缺陷的产生原因的发现提供有用的线索。