硅片有多个特征参量,如晶向、掺杂类N25Q128A13BSF40G型、杂质浓度(或电阻率)等,可以按照其中一个参量来划分硅片,如按照掺杂浓度划分硅片。本征硅理论上的电阻率可以达到20kΩ・cm,生产单晶硅片时,即使并未有意掺杂,也会有无意杂质掺人其中,如当前FZ硅无意杂质浓度最低可达10"atoms/cm3。轻掺杂硅片,标记为ll si或f Si,杂质浓度在10″~1o15扯0ms/cm3之间,多用于大功率整流器件。中等掺杂硅片,标记为艹Si或ΓSi,杂质浓度在1ol。~1o1:菠°ms/cm3之间,主要用于晶体管器件。重掺杂硅片,标记为rl si或旷si,杂质浓度在1o”~1021at°ms/cm3之间,是外延用的单晶衬底。

   RCA清洗法为美国无线电公司开发的一种晶片湿式化学清洗技术。

   按晶向划分硅片,有E100]型、[110]型和E111彐型硅片。

   按掺杂类型划分硅片,有n型和p型硅片。

   硅片作为微电子产品的衬底,按照其用途来划分规格也是常用方

法,如有二极管级硅片、集成电路级硅片、太阳电池级硅片等。在表22中给出了二极管级硅片的主要技术参数。图2n所示是二极管级硅片照片。