改变屏蔽电缆屏蔽层与金属连接器的连接方式
发布时间:2017/6/16 20:39:49 访问次数:437
【处理措施】
(1)改变屏蔽电缆屏蔽层与金属连接器的连接方式,取消原来的Plgtail,实现360°搭接。M27C4001-10F1
(2)为接口芯片的电源引脚增加1000pF的电源去耦电容,并在PCB布局上靠近电源引脚放置。
【思考与启示】
(1)屏蔽电缆的屏蔽层与连接器的连接很重要,一定要保证冗0°搭接。
(2)电源去耦电容的选择要考虑被去耦器件的工作频率及其产生的谐波,不要什么器件都用0.1uF的电容,一般器件的工作主频⒛MHz以下的建议用0.1uF的去耦电容,⒛MHz以上的器件用0.01uF的去耦电容,也可以尝试采用大小并联电容的组合去耦方式,如0.1uF电容与1000pF的电容并联,以取得较宽频带的去耦效果,但是还是要注意大小电容容值相差100倍以上。
(3)电源去耦对降低电源阻抗、降低电源噪声和地噪声有很大的帮助,由此对辐射骚扰抑制也有很大的帮助,特别是接口电路电源去耦,因为接口电路附近的电缆就是辐射的天线。
(4)对于浮地设各,电源的去耦、电源和地的完整性对EMC来说显得更加重要。
【处理措施】
(1)改变屏蔽电缆屏蔽层与金属连接器的连接方式,取消原来的Plgtail,实现360°搭接。M27C4001-10F1
(2)为接口芯片的电源引脚增加1000pF的电源去耦电容,并在PCB布局上靠近电源引脚放置。
【思考与启示】
(1)屏蔽电缆的屏蔽层与连接器的连接很重要,一定要保证冗0°搭接。
(2)电源去耦电容的选择要考虑被去耦器件的工作频率及其产生的谐波,不要什么器件都用0.1uF的电容,一般器件的工作主频⒛MHz以下的建议用0.1uF的去耦电容,⒛MHz以上的器件用0.01uF的去耦电容,也可以尝试采用大小并联电容的组合去耦方式,如0.1uF电容与1000pF的电容并联,以取得较宽频带的去耦效果,但是还是要注意大小电容容值相差100倍以上。
(3)电源去耦对降低电源阻抗、降低电源噪声和地噪声有很大的帮助,由此对辐射骚扰抑制也有很大的帮助,特别是接口电路电源去耦,因为接口电路附近的电缆就是辐射的天线。
(4)对于浮地设各,电源的去耦、电源和地的完整性对EMC来说显得更加重要。
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