可见,在148.34MHz的频率处,辐射下降了近4.5dB,但是离限值线的余量较小。 M27C256B-12F1进一步检查数码相机中印制电路板的电路原理,发现控制芯片的电源采用磁珠与电容进行去耦,其中去耦电容C2:大小为0.1uF,如图3。0~s所示。

   实际上0.1uF的贴片电容并不能很好地为1CXl MHz以上频率去耦,原因主要在于两个方面:一是电容本身存在寄生电感;二是去耦电流回路上存在的电感。对于一个理想的电源来说,其阻抗为零,在平面任何一点的电位都是保持恒定的(等于系统供给电压),然而实际的情况并不如此,而是存在很大的噪声,甚至有可能影响系统的正常工作,去耦电容就是为了降低电源阻抗,保证器件附近的电源稳定在波动较小的范围内。关于去耦电容及为什么要进行去耦,已经在案例“电容值大小对电源去耦效果的影响”中及5,1节中有所描述,0.1uF的陶瓷贴片电容的谐振点一般在十几兆赫兹,也就是说,0.1uF的陶瓷贴片电容,只能在十几兆赫兹频率附近使电源的阻抗保持在较低的水平,这个频率离本案例中数码相机的辐射超标的频率点有一定的距离。图3.锸给出了接口芯片电源采用0.1uF去耦电容时,在频率148.34MHz点上辐射较高的原因。图3。弱中箭头表示1锶.m MHz等未被0.1uF电容很好地去耦的噪声向电源传输,又由于在该频率点上,电源阻抗较高,电源与地之间产生较高的压降。这样,相当于在电源与地之间形成了一个148.34MHz的电压源,又由于数码相机是一个浮地系统,与地相连的电缆屏蔽层成了辐射的天线。