光刻腐蚀发射区窗口是二次光刻,光刻方法与一次光刻基本相同。注意:曝光前要进行对版。发射区掩蔽膜图形如图A-7所示。

   思考题:

   (1)二次光刻与一次光刻有什么不同?注意在显微镜下观察,窗口的台阶可否看见?台阶说明什么?FFPF15S60STU

   (2)光刻发射区时哪种光刻缺陷对器件性能的影响最大?为什么?

A.9 磷扩散 在双极型晶体管中磷扩散目的是为了形成发射区,磷扩散还是采取固态源开管两步式扩散工艺,固态源为含P205的陶瓷源片。

   第一步扩散――磷主扩散,在氮气保护下,高温将一定剂量的磷源扩散到发射区并达一定深度,基本上完成对杂质分布的控制。

   第二步扩散――三氧,在氧气氛条件下,发射区窗口热生长氧化层作为铝电极引线的掩膜。三氧炉温应低于主扩散,但仍较高,对基区宽度和晶体管电流放大倍数(`值)的调整起一定作用。磷扩散工艺参数由值确定,通过测量`值确定工艺条件。