溅射是当前集成电路制造技术中制备金属、合金和金属硅化物薄膜时常采用的Pvd方法,这种方法几乎可以制备任何固态物质的薄膜。 BCM5673A1KPB与蒸镀相比,溅射薄膜具有附着性好,台阶覆盖能力较强,在淀积多元化合金薄膜时,化学成分更容易控制等优点;但也存在薄淀积速率较低,衬底温度较高,设各更复杂,造价较高等缺点。随着溅射设备、高纯靶材、高纯气体和I艺技术的发展进步,溅射薄膜的质量也得到了很大的改善,其中,以当前常用的磁控溅射方法制各薄膜的淀积速率和薄膜质量也获得了很大提高。

   在微电子芯片中金属薄膜的最重要用途是作为分立器件和集成电路金属化系统的导电层,因此,导电性能优良是其首要条件。在综合了电学性能、工艺性能等多方面情况下,长期以来铝金属化系统成为首选,而铝金属化系统中的铝及铝合金薄膜主要是采用Pl/D工艺制备。随着微电子科技的进步,超大规模集成电路的多层互连系统对金属互连布线的导电性、抗电迁移能力的要求越来越高,金属铜作为互连布线的优势显现出来,目前在超大规模集成电路中,铜多层互连系统已逐渐取代铝多层互连系统,而铜多层互连系统中的铜及其阻挡层、附着层等化合物薄膜主要也是采用PˇD工艺制各。

   另外,在集成电路中使用的其他金属、合金及化合物薄膜也多采用PⅥ)I艺制备。