曝光是使光刻掩模板与涂上光刻胶的衬底对准,用光源经过光刻掩模板照射衬底,使接受到HAT2197R-EL-E光照的光刻胶的光学特性发生变化。曝光中要特别注意曝光光源的选择和对准。

   1.曝光光源的选择

   紫外(UV)光用于光刻胶的曝光是l,・l为光刻胶材料与这个特定波长的光反应。波长也很重要,因为较短的波长可以获得光刻胶上较小尺寸的分辨率。现今最常用于光学光刻的两种紫外光源是汞灯和准分子激光。

   2对准

    对准是指光刻掩模板与光刻机之间的对准,二者均刻有对准标记,使标记对准即可达到光刻掩模板与光刻机的对准。

   为了成功地在硅片上形成图案,必须把硅片上的图形正确地与投影掩模板上的图形对准。只有每个投影的图形都能正确地和硅片上的图形匹配,集成电路才有相应的功能。对准就是确定硅片上

图形的位置、方向和变形的过程,然后利用这些数据与投影掩膜图形建立起正确关系。对准必须快速、重复、正确和精确。对准过程的结果,或者每个连续的图形与先前层匹配的精度,称为套准。套准精度(也称为套准)是测量对准系统把版图套准到硅片上图形的能力。套准容差描述要形成的图形层和前层的最大相对位移。一般而言,套准容差大约是关键尺寸的三分之一。对于0.15um的设计规则,套准容差预计为50nm。

   在实际操作中,曝光时间是由光刻胶、胶膜厚度、光源强度及光源与片子间距离来决定的,一般以短时间强曝光为好。

   曝光时间要严格控制,时间太长,显影后的胶面呈现出皱纹,使分辨率降低,图形尺寸变化,边缘不齐。时间太短,光刻胶交联不充分,显影时部分被溶解,胶面发黑呈枯皮状,抗蚀性大大降低。在曝光过程中,在曝光区与非曝光区边界将会出现驻波效应,由于驻波效应将在这两个区域的边界附近形成曝光强弱相间的过渡区,这将影响显影后所形成的图形尺寸和分辨率。为了降低驻波效应的影响,在曝光后需要进行烘焙,称为曝光后烘焙(PEB)。为了促进关键光刻胶的化学反应,对DUV光刻胶进行后烘是必需的。对于基于DNQ化学成分的常规I线胶,进行后烘的目的是提高光刻胶的黏附性并减少驻波。在光刻胶的产品说明书中,生产商会提供后烘的时间和温度。