4种超浅结离子掺杂新技术的比较见表67。

   应用超浅结掺杂新技术时需要考虑的问题主要有:新的超浅结技术是否可同时用于pˉn结和pn・结, OB2269CP实现源/漏和栅掺杂;会不会造成栅氧化层中陷阱的充放电和物理损伤;X寸裸露硅的损伤会不会形成瞬态增强扩散和杂质的再分布;工艺是否兼容现有的典型的CM()S掩膜材料;是否会引入可充当深能级中心的重金属元素和影响杂质扩散、激活和M(B器件可靠性的氟、氢、碳、氮等元素沾污等。这些都是有待研究解决的纳米CMOS超浅结方面的问题。在⒛08年的IEDM(Intelnaoond⒈lectron De访c∞Meeting)会议上,超浅结被列为22nm技术节点最具有挑战性的15项技术之一,其重要性可见一斑。注入材料、工艺和设各的更新将推动超浅结技术向前发展。

   本章小结

   本章就离子注入技术的基本原理、离子注人技术的剂量与分布形式、注入带来的损伤及消除办法、离子注人工艺的设备与工艺流程、离子注人技术的应用和超浅结形成技术进行介绍。

   单元习题二

   1.Slo膜网络结构特点是什么?氧和杂质在⒊02网络结构中的作用和用途是什么?对弥,.膜性能有哪些影响?

   2.在so系统中存在哪几种电荷?它们对器件性能有些什么影响?工艺上如何降低它们的密度?

   3.欲对扩散杂质起有效的屏蔽作用,对so膜有何要求?I艺上如何控制氧化膜生长质量?

   4.由热氧化机理解释干、湿氧速率相差很大这一现象。

   5.薄层氧化工艺(10nm以下氧化层)过程中应注意哪些要求?现采用的工艺有哪些?

   6.掺氯氧化工艺为何对提高氧化膜质量有作用?

   7.热氧化法生长1000A厚的栅氧化层,工艺条件:1000℃,干氧氧化,无初始氧化层。试问氧化I艺需多长时间?

   8.硅芯片为避免芯片沾污,可否最后热氧化一层⒏O2作为保护膜?为什么?

   9.求下列条件下的固溶度与扩散系数: