LPE主要有两种方式:水平滑动法和垂直浸人法。水平滑动法是应用最广泛的I'PE方法,因为MAX1807EUB它能直接生长出厚度和均匀性良好的多层结构外延层。通用的水平滑动式LPE系统示意图如图3⒛所示,图中的活动炉内有滑轨装置,滑车置于轨道上,滑车上有若干个装有不同溶液的熔池,每个熔池用于生长不同的外延层。例如,一个熔池中的溶液含有p型掺杂剂,另一个熔池中的溶液含有n型掺杂剂,用两个熔池就可以制备带pn结的外延层。滑车与衬底座紧密配合,当把装有指定溶液的熔池滑动至衬底上面时,生长即可开始。溶液槽组件由石墨制成。溶液并不浸润石墨,这样当滑车移走时通过擦抹作用使熔融溶液脱离衬底。从而达到结柬生长的日的。整个装置装在石英管中,管中一般通人高纯氢气。石英管置于可移动的多温区炉内。可以通过手动或由计算机控制的步进电机驱动的推杆移动滑车的位置。通常在溶液槽上安装有石墨盖,以防止熔融溶液蒸发和污染。

   在LPE中,外延层生长速率和厚度是由熔融溶液的过饱和度和衬底与熔融溶液接触时间决定的。LPE是热力学准平衡过程,温度降低快,过饱和度就大,外延速率也就加快。生长速度因衬底晶向不同而差别很大。但是,当温度降低过快时,原子排列时间太短,外延层生κ质量会下降。相对于VPE和MBE而言,IPE生长速率较快,安全性高,在制备厚的硅外延层时常被采用。而对于生长非常薄的外延层来说难以实现可控生长,这和生长起始与终结的方式有关。因此薄层外延通常不采用I'E△艺。IPE相对于VPE而言工艺温度低,互扩散效应也就不严重,而目~没有白掺杂效应,所以杂质再分布现象弱。另外,LPE的适应性强,相对于MBE而言设备简单,△艺成本较低,但外延表面形貌通常不如MBE的好。