真空蒸镀是最早用于金属薄膜制各工艺的PVD方法,曾长期作为微电子分立器件内电极和集成电路互连布线的金属薄膜的制备工艺。 BCM5345KPB它具有设备简单、易于操作、所制各薄膜纯度高、成膜速快、生长机理简单等优点。但是,也存在薄膜的附着性、工艺重复性、台阶覆盖性不够理想等缺点。随着集成电路单元尺寸的缩小,对作为互连布线的金属薄膜的台阶覆盖能力和附着能力等要求也在不断提高,因而,在大多数微电子△艺中,真空蒸镀工艺已逐渐被相对而言有较好台阶覆盖能力和附着能力的溅射工艺或CVˉID工艺所取代。

   而蒸镀薄膜台阶覆盖能力差的特点,又是它在光刻剥离技术中被普遍采用的关键。光刻剥离技术是在淀积薄膜之前,先在衬底上进行光刻,制备出光刻胶(或其他作为牺牲层材料)的图形,然后,用蒸镀方法将金属等薄膜淀积在已有图形的光刻胶层表面上,光刻胶图形的台阶较高时,蒸镀金属会在台阶侧壁底角处断裂,用光刻胶剥离液去胶时,只要由裂纹浸入的剥离液将光刻胶溶解,胶膜顶面上的金属层也就被剥离掉了,从而直接获得有图形的薄膜。光刻剥离的薄膜一般是难以通过光刻腐蚀形成图形的难熔金属或多层金属薄膜,丽采用蒸镀工艺的光刻剥离技术就解决了这个问题。随着蒸镀设备和I艺技术的发展进步,目前,常用的电子束蒸镀方法在微电子生产及科研方面的薄膜制备中仍有广泛应用。