由于湿氧氧化速率上大于干氧氧化速率,因此,干氧中含少量的水汽都会使干氧氧化加速。 KSZ8721BL实际上,线性和抛物型氧化速率常数对存在于氧化剂中或者存在于硅衬底中的杂质、水汽、钠、氯、氯化物等物质都是非常敏感的。

    Ⅲ-Ⅴ族元素是工艺中常用的掺杂元素,当它们在衬底硅中的浓度相当高时,会影响氧化速率,其原因是氧化膜的结构与氧化膜中的杂质含量和杂质种类有关。硅在热氧化过程中,由于杂质在s和Si()2中的溶解度不同,杂质在⒏/Si()2界面产生再分布。再分布的结果导致Sl/SiO2界面处杂质分布不连续,即杂质不是较多地进人⒏就是较多地进入⒏02,有关杂质再分布问题详见4.4节。界面杂质的再分布会对氧化膜特性产生影响。对于分凝系数小于1的杂质(如硼),在氧气中氧化时,杂质被分凝到s02中去,使⒏02网络结构强度变弱,氧化剂在其中有较大的扩散系数,而且在Sio2网络中的氧化剂浓度也提高了,囚此氧化速率提高。图416所示是掺硼硅在湿氧氧化时的氧化层厚度与温度、掺杂浓度的关系。

   对于分凝系数大于1的磷,在分凝过程中,只有少量的磷掺入到生长的⒏02中,而大部分磷集中在s/sK)2界面处和靠近界面的硅中。因而使线性氧化速率常数变大,抛物型速率常数基本不受磷浓度的影响。因分凝进人sO2中的磷量很少,氧化剂在⒏C2中的扩散能力基本不受影响。对掺磷硅的湿氧氧化,仅在低温时才看到有浓度的依赖关系,因为低温下表面反应控制是主要的,而高温时以扩散控制为主。