带有多个电荷的空位浓度也类似,正比于电子浓度对本征载流子浓度之比的若干次幂,幂次和GAL16V8D-15LPN电荷数相等,例如,-2价空位浓度为:

   空位缺陷叉称为肖特基(s山ottky)缺陷,在集成电路丁艺中很重要。例如,扩散和氧化工艺动力学中,许多杂质的扩散依赖于空位浓度。

   杂质缺陷是非本征点缺陷,是指硅晶体中的外来原子。在晶体生长、加工和产品制造工艺过程中,不可避免要沾污一些杂质;而有些杂质又是在集成电路工艺中有意掺入的。杂质中,填隙杂质在集成电路工艺中是要尽量避免的,这些杂质破坏了晶格的完整性,引起晶格点阵的畸变,但对半导体晶体的电学性质影响不大;而替位杂质通常是在集成电路I艺中有意掺入的杂质。例如,硅晶体中掺人ⅢA、ⅤA族替位杂质,目的是调节硅晶体的电导率;掺入贵金属Au等,日的是在硅晶体中添加载流子复合中心,缩短载流子寿命。