确定试验源以后,需要根据器件的结构性能确定试验离子的种类和数量。单粒子GAL16V8D-15LPN试验的目的是通过试验获得单粒子截面σ―LET关系曲线,并根据关系曲线进行单粒子事件率的预估,因此,需要选择合适的、足够的有效LET数据点。如果选取过少,所拟合得到的单粒子截面σ―LET关系曲线误差过大,不够准确。一般情况下,为了得到单粒子截面σ-LET关系曲线,至少选用具备5种以上不同的有效LET值的离子,并且离子的有效LET应能覆盖被试器件从刚开始出现单粒子事件到单粒子事件达到饱和截面所对应的LET范围。对于器件的单粒子时间LET阈值范围可以通过摸底试验获得,也可以参照与被试器件结构、工艺最接近的器件的单粒子试验数据进行估计。

    另外,应在试验方案中确定离子的入射角度、注量率,以及每种离子的辐照总注量。

   单粒子效应类型和检测系统

   在单粒子试验过程中,测试器件的单粒子效应是一项复杂的技术,不同的器件类型具有不同的单粒子效应,如存储器类的单粒子翻转、DαDC器件的单粒子瞬态和单粒子烧毁等。而且,对同一器件,不同的测试方法或不同的测试程序,其测试结果往往不相同,甚至相差很大。

    因此,需要在试验方案中确定需要测试的单粒子效应、方法和程序。在下一节中将会给出几种不同类型器件的单粒子效应测试方法。

   试验流程

   单粒子试验流程可以参考图3-17和图3-18制定。