1960年外延技术出现,诞生了外延晶体管。20世纪7o年代初,美国研制出第一台离子注人机, NAND01GW3B2CN6E使在硅片的定域掺杂更精确、更均匀,可以在更薄的表面层内实现精确掺杂,由此集成电路也向更大规模方向发展。随后等离子干法刻蚀、化学气相淀积等新工艺、新技术也不断出现。从集成电路诞生到20世纪80年代,是以工艺技术的发展为主导来促进微电子产品、特别是集成电路的高速发展时期。

   进人~90世纪⒛年代中后期,集成电路设计从微电子生产制造业中独立出来,微电子工艺也进一步完善和规范,形成了集成电路标准制造I艺。全球第一家集成电路标准加工厂(Foundry)是1987年成

立的中国台湾积体电路公司,它的创始人张忠谋也被誉为“晶体片加工之父”。⒛世纪90年代之后,集成电路制造向高度专业化的转化成为一种趋势,开始形成电路设计、芯片制造、电路测试和芯片封装4个相对独立的行业。基于实际应用需求而进行的集成电路设计成为引领和推动微电子工艺高速发展的源动力,它不断对工艺技术提出更高要求。这时芯片制造的横向加工精度开始进入亚微米范围,出现了电子束光刻、X射线光刻、深紫外光刻工艺技术;纵向加工精度也进一步提高,出现了可生长几个原子厚度外延层的分子束外延工艺、薄层氧化工艺和浅结掺杂技术等。在集成电路金属互连I艺方面,从1985年起IBM公司(Intematlond Bussilrless Machilae Corpom―tlon)就开始研发用铜代替铝作为超大规模集成电路多层金属互连系统的工艺技术,直到1998年才在诺发公司(Novdlus助stem)的协助下研制出了铜互连工艺,并将其应用在实际的集成电路制造中,1999年苹果公司(AplDle ColllpLtter,Illc.)也在⑽0MHz微处理器中采用了铜互连I艺。围绕着铜互连产生了一系列芯片制造工艺的改进技术,如铜层电镀技术、化学机械抛光技术等。