此  表面外延过程示意图如图⒊6所示。气相质LD1117S18TR量传递到达衬底表面的sH1分子被衬底吸附,见图⒊6巾的1;由于衬底温度高,使得衬底吸附的SiFI4分解成为1个⒊原子和4个H原子,见图⒊6中的2;分解出的s原子从衬底获得能量,在衬底表面迁移,见图36中的3;si迁移到达能量较低的角落.见图36中的4;最终,⒊迁移到达衬底的低能量突出部位  结点位置(kink po““on)暂时固定下来,见图36中的5。在结点位置s原子与衬底有3 个面接触,可以形成两个s← ⒊共价键,比在与衬底有1~2个面接触仅可能形成一个⒏ s共价键的位置3和位置4的能量低,所以逗留时间也就相对地长,当被继续吸附→分解→迁移来的其他⒊原子覆盖住时,就成为外延层中的一个s原子了。而两个H原子在衬底迁移时相遇.结合成为H2气体分子,从衬底表面解吸离开,见图⒊6中的6。当然,岜有s成分子被台面吸附,见图⒊6中的7,若台面很清洁,分子不稳定.很容易被主流气体吹走。

   ⒊H1表面外延过程实质上包含了吸附、分解、迁移、解吸这几个环节。表面外延过程表明外延生长是横向进行的,是在衬底台阶的结点位置发生的。因此,在将硅锭切片制备成外延衬底时,一般硅片表面都应偏离主晶面一个小角度。目的就是为了得到原子层阶和结点位置,以利于表面外延生长。例如,〈1n〉晶向外延用硅片,在由晶锭切割制备硅片时,硅表面实际偏离(111)晶面.

   外延过程中,衬底基座的高温可以保证被衬底吸附的外延剂的化学反应(如⒊H4的分解反应)在衬底表面进行,且生成的硅原子可以从高温衬底获取能量快速迁移扩散,并规则地排列成与衬底晶向一致的外延层,而生成物气体分子也易于从高温衬底上解吸离开。常压外延采用的反应器都是只对基座加温的冷壁式反应器,这也是为了使外延剂分子不会在输运过程中囚反应室温度过高而发生化学反应,从而避免气相反应生成的硅原子快速地淀积在衬底上,无规则地生长成非晶或多晶硅膜。