在微电子产品中作为衬底材料的硅是高度完整的晶体。尽管如此,在高度完整的晶体内部也会存在微量缺陷。而且,在制作微电子产品的工艺过程中,GA1L4M-T1硅晶体内也会产生缺陷,并且会根据需要人为地掺人杂质。硅晶体中的缺陷主要有:零维的点缺陷、一维的线缺陷、二维的面缺陷和三维的体缺陷。

   硅晶体中的点缺陷(如图⒈8所示)主要包括三种:空位、自填隙和杂质。

   置上出现空缺,如图⒈8中的A、A+;自填隙是硅原子不在晶格位置上,而是处于晶格位置之间,如图⒈8中的B;杂质是指硅以外的其他原子进入到硅晶体中,有两种类型,替位杂质(如图⒈8中的C)和填隙杂质(如图⒈8中的D)。

   晶体中的原子由于热运动脱离晶格位置进人晶格之问,从而成为自填隙原子,同时在原处留下一个空位,这种空位和自填隙原子的组合称为弗伦克尔(FlcnkeD缺陷。白填隙原子和空位并不总是停留在它产生的位置,这两种缺陷都可以在晶体中运动,在高温时更是如此。这两种缺陷都有可能迁移到晶体表面消失掉。