光电导探测器:把光电导探测器看作电路中的一个元件时,其特性很像一个可变电阻器。FAN7530N探测器与负载电阻和偏压电源串联:当有辐射照射到探测器上时,光子引起探测器电导率的变化调制了流经探测器和负载电阻的电流c从负载电阻取出信号,再通过电容耦合到前置放大器上。因为通过负载电阻的偏压比信号电压要大几百万倍,因此,至关重要的是要使偏压源尽可能不受噪声和其他虚假作用的影响。

   光伏探测器:它是一个自生偏压装置,不需要偏压电源,这种情况有时能降低电路的复杂性。一般情况下,光伏探测器工作于短路状态,即偏置电压为0,此时能产生最佳的信噪比。但是,适当的反向电压偏置能够增加P-N结耗尽层的厚度,从而减小探测器的时间常数,使探测器具有较好的高频特性。光伏探测器在理论上能达到的最大探测度比光电导探测器要大硐%,偏置功耗小,容易与高阻抗的CMOS读出电路匹配。由于这种元件需要由入射光子产生电子-空穴对,所以,只有本证半导体材料才能用作光伏探测器。由于本证材料对7um以上的辐射信号是不响应的,所以光伏探测器的响应波长被限制在7um以下。

    光磁电探测器:它由一薄片本征半导体和一块磁铁组成。人射光子产生电子-空穴对,它们被外加磁场分开。这类探测器不需要制冷,不需要电偏置,可以响应到7um,时间常数很小(可小于1ns)。但是由于其探测度比光电导型和光伏型探测器要低,且需要形成一个磁场,所以很少使用。

   光电子发射探测器:利用能量足够大的光子(光子能量大于电子的逸出功)入射到材料(金属、金属氧化物、半导体)上,使其表面发射电子。由于其量子效率较低,主要应用在可见光波段,红外波段应用较少。