现代微电子工艺是以硅平面工艺为基础而发展起来的。最能体现微电子工艺发展水平的单项工艺是光刻I艺,一般用光刻工艺或光刻特征尺寸(光刻图形能够分辨的最小线条宽度)来表征微电子工艺水平。

   计算机动态随机存储器(DRAM)芯片,从NAND128W3A2BN6E出现到现在,几十年时间里其使用功能基本相同,具有很高的集成度,也最能反映出集成电路工艺的发展历程。所以,通常用DRAM芯片的发展历程来表明集成电路工艺水平的进步。DRAM芯片发展历程如表01所示。

   ⒛00年,集成电路芯片主流产品的特征尺寸已在0,18um以下,集成电路工艺开始向纳米阶段发展。到2004年,集成电路的特征尺寸正式进人到纳米量级,90nm线宽的集成电路工艺被大规模应用在中央处理器(CPU)、数字信号处理电路(DSP)等复杂集成电路芯中。目前,浸润式光刻技术已经在22nm水平工艺上应用,铜互连技术已应用于高端电路芯片的生产工艺中,并由最初的6~7 层互连发展到现今的9~10层互连,已替代铝互连技术成为主流互连技术。

   人类对电子产品的要求一直向着体积更小、速度更快、功耗更低、性能更高的方向发展。随着元器件特征尺寸的持续缩小,集成电路的集成度不断提高,传统的集成电路工艺进一步完善和拓展另

外,一些新机理、新结构的纳电子器件及电路被设计出来,与之相适应的新的工艺技术――纳电子艺已诞生。