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微组装技术层次的划分

发布时间:2016/8/30 21:56:26 访问次数:743

   微组装技术是在SMT的基础上进一步发展起来的, 目前仍处于发展阶段和局部领域应用的阶段。AAT3510IGV-2.93-C-C-T1主要技术有以下三层次。

   (1)多芯片组件(MCM)。多芯片组件是由厚膜混合集成电路发展起来的一种组装技术,可以理解为集成电路的集成(二次集成),其主要特征如下。

   ①所用IC为LsI/VLSI。

   ②℃占基板面积大于⒛%。

   ③基板层数大于4。

   ④组件yo引脚数大于100。

   采用的基板有三种类型。

   ①PCB板,密度不高,成本低。

   ②陶瓷烧结板,采用厚膜工艺,密度较高,成本高。

   ③半导体片,以硅片为基板,采用薄膜工艺,密度高。

   由于MCM技术难度大、投资高、成品率低,因而造价高,目前仅限于要求高可靠的领域。例如由MCM技术制造的越级计算机,以78层厚膜、8层薄膜组成基板,装上1oo个⒛000门VLSI芯片,引脚11540根,运算速度55亿次/s,若不采用MCM是无法达到的。

   (2)硅大圆片组装(Wm/HwsI)。采用硅大圆片作为安装基板,将芯片组装到硅大圆片上而形成电子组件,可进一步增大安装密度。硅大圆片(WSI)是按£工艺制成互联功能的基片,将多片IC芯片安装到基片上形成新组件。混合大圆片(HWSI)是在硅片上沉淀有机或无机薄膜,多层互联,组装多片IC裸片(大于25片)。这种技术难度大,成品率低。

  (3)三维组装(3D)。是将IC、MCM、WsI进行三维叠装,进一步缩短引脚,增加 密度。

   微组装技术是在SMT的基础上进一步发展起来的, 目前仍处于发展阶段和局部领域应用的阶段。AAT3510IGV-2.93-C-C-T1主要技术有以下三层次。

   (1)多芯片组件(MCM)。多芯片组件是由厚膜混合集成电路发展起来的一种组装技术,可以理解为集成电路的集成(二次集成),其主要特征如下。

   ①所用IC为LsI/VLSI。

   ②℃占基板面积大于⒛%。

   ③基板层数大于4。

   ④组件yo引脚数大于100。

   采用的基板有三种类型。

   ①PCB板,密度不高,成本低。

   ②陶瓷烧结板,采用厚膜工艺,密度较高,成本高。

   ③半导体片,以硅片为基板,采用薄膜工艺,密度高。

   由于MCM技术难度大、投资高、成品率低,因而造价高,目前仅限于要求高可靠的领域。例如由MCM技术制造的越级计算机,以78层厚膜、8层薄膜组成基板,装上1oo个⒛000门VLSI芯片,引脚11540根,运算速度55亿次/s,若不采用MCM是无法达到的。

   (2)硅大圆片组装(Wm/HwsI)。采用硅大圆片作为安装基板,将芯片组装到硅大圆片上而形成电子组件,可进一步增大安装密度。硅大圆片(WSI)是按£工艺制成互联功能的基片,将多片IC芯片安装到基片上形成新组件。混合大圆片(HWSI)是在硅片上沉淀有机或无机薄膜,多层互联,组装多片IC裸片(大于25片)。这种技术难度大,成品率低。

  (3)三维组装(3D)。是将IC、MCM、WsI进行三维叠装,进一步缩短引脚,增加 密度。

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