由于在生长完量子阱有源区以后一般还要在高温下生长AlG瘀限制层和GaN接触层, L6571BD在生长时相当于对InxGa1”N/GaN多量子阱进行了退火处理,jnl3q等人研究了在生长IllxGal d/GEⅨ多量子阱时退火温度对其性能的影响,他们发现在sO0~⒛0℃退火时,会使产生的In团簇较好地聚集在I‰G幻”N阱层附近,并且随着退火温度的增加In团簇的尺寸减小,均匀性提高。当退火温度在90O℃时可以发现In团簇周期性规则的分布在陡峭的InGaN界面。然而当温度再升高时在950℃下退火30min,所有规则排列的Ill团簇都消失不见了,量子阱的结构己经被破坏。因此,一般认为退火破坏I弘Ga1~邓/GaN量子阱的机制是由于In和Ga的互扩散。

   由于InxGa山N/GEN的晶格失配,在生长多量子阱结构时界面的缺陷密度也是影响界面质量的重要因素。黎大兵卩l]等研究发现,在量子阱区域存在类似量子点的富In区和结构缺陷,量子点充当局域发光中心起到增强量子阱发光强度的作用,相反缺陷(主要是位错)

则充当非辐射复合中心而减弱量子阱的发光强度,并且局域中心与缺陷相互竞争共同影响着样品的发光性能。因此,控制量子阱内部的缺陷密度是改善样品或InGaN器件发光性能的主要途径。