功率场效应晶体管的结构L6571BD

   VDMOS结构采用垂直导电的双扩散MOS结构,利用两次扩散形成的P型区和N+型区,在硅片表面处的结深之差形成沟道,电流在沟道内沿表面流动,然后垂直被漏极接收。VDMOS结构和符号如图125所示。VDM(B管的衬底是重掺杂(超低阻)N^单晶硅片,其上衍生一高阻N^层(最终成为漂移区,该层电阻率及外延厚度决定器件的耐压水平);在N^上经过P型和N型的两次扩散,形成N+N~PN^结构。当栅极为零偏压时,扌D被P型区阻隔,漏源之间的电压U“加在反向PN^结上,整个器件处于阻断状态。当栅极正偏压超过阈值电压⒒讪)时,沟道由P型变成N十型,这个反型的沟道成为jD电流的通道,整个器件又处于导通状态。它靠N+型沟道来导电,故称之为N沟道VDMOs管。在MOsFET中只有一种载流子(N沟道时是电子,P沟道时是空穴)。由于电子的迁移率比空穴高3倍左右,从减小导通电阻、增大导通电流方面考虑,一般常用N沟道器件。