功率场效应晶体管L6390DTR

   功率MOSFET(Power Metal O妯de&miconductor Fleld effect Transistor)是从MOS集成电路工艺中发展起来的器件。根据其结构不同,分为结型场效应晶体管和金属-氧化物一半导体场效应晶体管。传统的MOSFET结构把源极、栅极及漏极安装在硅片的同一侧面上,因而MOSFET中的电流是横向流动的,这种结构限制了它的电流容量。现在功率场效应晶体管采用两次扩散工艺,将漏极D移到芯片的另一侧表面上,使从漏极到源极的电流垂直于芯片表面流过,有利于减小芯片面积和提高电流密度。这种结构的场效应晶体管称为VMOSFET。

   VMOSFET有两种结构:VVMOS和VDMOs,做到大功率的主要是VDMOS结构。MC)SFET根据导电沟道的类型不同,可分为N沟道和P沟道两大类;根据零栅压时器件的导电状态,又可分为耗尽型和增强型两类:栅压为零时已存在导电沟道的称为耗尽型,栅压大于零时才存在导电沟道的称为增强型。