蓝宝石(犴A12α)晶体结构与GaN相同,为六方结构。蓝宝石的优点是带隙宽、折射率低(1.7)、化学稳定性和热稳定好,在1000℃高温也不与氢气发生反应,可用于高温生长。BAS40-06价格相对便宜,可以大量生产也为其优点。缺点是与GaN晶格失配和热失配大、不导电、热导差、解理困难,详见表l-3。常用的蓝宝石晶面是c面。在(0001)面蓝宝石上用MOCVD生长的G瘀夕卜延层仍为(0O01)面,但是相对于(0001)面蓝宝石围绕c轴旋转30°,GaN的[1Ξ10]方向平行于蓝宝石的[10T0]方向,GaN的[丁o1o]方向平行于蓝宝石的[lΞ10]方向。GaN的(OO01)面上扩大诟倍的周期,为055⒛m(褥×0.3186),比Al203的品格常数夕(0.475snm)大16.1%倍P刨,如图⒈16所示。近些年,为了提高LED的出光效率,产业界发展了图形衬底(Pattcming Sapphire sLlbstr荻c,PSs)技术,即对蓝宝石衬底表面进行刻蚀处理,使之表面结构形成有序阵列分布特征的小岛(如图⒈17所示),每个小岛近似为蒙古包形状,岛高在1,5~1.7um之间,岛与岛中心距离一般为3um,其包底部长约2.4~2.8um,因包底部的长度变化,岛与相邻岛边缘的底部距离则在0,6~0.2um间变化。岛越大,LED的出光效率越高,但因其包间底部空隙更小,相应的外延生长难度也提高了。