带隙宽的4H sC和6H-sC都是六方结构。其优点BAS516是与GaN晶格失配较小(与GaN的晶格失配为3.5%、与AlN(1%)、导电、热导率高l/I。9W/(cm・K)]。siC衬底的缺点是价格昂贵、折射率较大(2.刀)、缺陷密度高、热失配也较大(与蓝宝石不同,为正热失配,产生张应变和容易产生裂纹)。由于siC表面容易形成一种稳定的氧化物,阻止其分解和刻蚀,因此,在外延生长前必须对siC衬底的表面进行合理有效的处理。

   si材料本身兼具晶体质量好、导电、热导率比较高等优点。随着si材料和晶体生长技术的突飞猛进,很容易获得大尺寸⒏衬底,且易加工、成本低,这是其在生产中作为衬底有利因素。但由于si是非极性衬底,与GaN晶格失配和热失配较大,使得生长高质量GaN更加困难。且Si本身吸收光,对于制作LED来说也是不利因素。

   A1GaInP高亮度红黄光LED的衬底材料是GaAs,其主要原因是GaAs与红光LED外延材料的晶格常数相匹配。由供应商提供的GaAs衬底一般都是免清洗的,并有相应的参数规范,表⒈4列出了用于红光LED的2英寸GaAs衬底的典型参数。随着GaAs晶体制备技术的不断提高,3英寸和4英寸的衬底己逐步在生产中使用。