图2.10为单管动态存储单元电路示意图,动态基本存储电路是利用MOS管栅极和源极之间ADIS16364BMLZ的极间电容C1来存储信息的。C1上存有电荷,表示存有信息“l”,否则就表示存有信息“0”。 虽然MOS管是高阻器件,漏电流小,但漏电流总还是存在的,因此C1上的电荷经一段时间后就会泄放掉(一般为2ms),故不能长期保存信息。为了维持动态存储电路所存储的信息,必须使信息再生(即进行刷新)。MOS管Q1作为一个开关,Q2为同一列电路所公用,C0为位线对地的寄生电容,G》C1。

   由于电容CI很小(为0.1~0.2uF),所以读出的信号很弱,需要进行放大。另外在每次读出后,由于C1上电荷的损失,原先存储内容受到破坏(改变),因而还必须把原来信号重新写入(再生)。

   为了读出动态存储电路的数据,在读数前需要对数据线进行预充电。读出和写入操作均需按严格的定时时序脉冲进行,

因此,动态RAM芯片内要有时钟电路。 刷新过程就是先读出信息(不送到数据线上,此时Y选择线置ω,经放大后再传送给位线,通过写入操作来完成。由此可见,动态存储电路具有集成度高、成本低、功耗低,但由于刷新,需要有较复杂的外围控制电路,所以只有在构成大容量的存储系统时(如PC)才有较高的性价比。