利用MEDICI对相同工艺参数和栅氧厚度为3.2~‰m的MOS器件进行研究,在几ubmⅨ应力条件(吒s丬.75V,‰s胡・8v)下,最大碰撞离化率和AD8056AR最大的电子注入电流随栅氧化层厚度变化如图10.I1所示。

   从图10.11中可见,当栅氧化层厚度飞x缩小时,碰撞电离产生率增大,而最大电子注入电流先平缓变化,当栅氧化层厚度进入4nm之后,电子注入电流迅速增大。氧化层厚度缩小50,8%,最大碰撞电离产生率从3.7×1029pairs/cm3・s增加到6,8×1y9pairs/cm3・s,大约增大了83.8%,注入电流的峰值从4.98×1σ11A・uml增大到2.3×1010A・umˉ1,大约增大了361.8%。由此可见,随着栅氧化层厚度缩小,器

件的热载流子效应增强,器件退化也越趋严重。