在对数正态坐标上绘制累积失效率分布,得到加速应力下的寿命。计算温度DSEP2X61-12A应力和电场应力的加速度,推算工作应力条件下NBTI寿命。工作条件下的寿命是加速应力条件下的时间与加速系数的乘积,加速系数是温度加速度、电场加速度和应力作用时间的乘积。

    NBTI效应与HCI效应的耦合机制。在NBTI+HCI应力下,器件阈值电压的漂移说明So2/si界面有正电荷的出现,而且NBTI效应和HCI效应都对正电荷的形成有贡献,因此器件的退化是NBTI效应和HCI效应共同作用的结果。NBTI应力引起的阈值电压漂移量与沟道长度无关,如图11.18所示。 图1118 NBT+HC和NBT应力下阈值电压漂移量与沟道长度的关系 环境温度对NBTI效应的影响。对于0.18um CMOS工艺器件,NBTI效应随环境温度的上升不断强,125℃环境温度条件下,NBTI效应产生的退化明显大于HCI效应产生的退化。此时,NBTI效应是器件退化的主要因素。