(1)激活能的提取。恒定电DSEI20-12A场条件下,分别在3个不同的温度点(如125℃、155℃、175℃)各测量一批薄栅氧化层的寿命,在对数正态坐标上分别提取中位寿命冗1、饧1和%1,在半对数坐标上画出中位寿命时间色l、%1和%l与温度的倒数√石、√骂和√兀的对应关系,该对应关系拟合曲线的斜率就是激活能厶,如图11,17所示。

   图1117 NBTI效应激活能的提取

    (2)电场加速因子的提取。恒定高温(如125℃)环境条件下,分别在3个不同的栅极电压应力下(如9.5V、名。0V、闩.3V)各测量一批薄栅氧化层的寿命,在对数正态坐标上分别提取中位寿命△2、%2和‰,在半对数坐标上画出中位寿命冗2、%2和%2与电压栅极应力电压吒sI、吒s2和吒s3的倒数的对应关系,该对应关系拟合曲线的斜率就是电场加速因子C。

   (3)应力作用时间影响因子的提取。恒定高温环境和恒定栅极应力条件下,PMOSFET的阈值电压的退化量随着应力时间的增加而不断增大。测量一批薄栅氧化层的寿命,在双对数坐标系中以应力时间为横坐标,阈值电压的漂移量为纵坐标,该对应关系拟合曲线的斜率就是应力时间影响因子`。

   (4)比例系数的提取。恒定高温(如125℃)环境条件下和恒定栅极应力条件下,测量一批PMOsFET的寿命。在对数正态坐标上提取出中位寿命,即可计算出比例系数。