验证实例
发布时间:2016/7/3 17:58:32 访问次数:769
TDDB测试时使电场固定,选取3个以上不同的温度点,根据栅介质的击穿时间,作出lnr50~1/Γ关系图,对测量点进行线性拟合,拟合曲线的斜率即Ea/肟的值。 NTD70N03R-D由于庀值是个常量,根据庀值即可计算出栅介质击穿的热激活能尻。相应地,TDDB测试时使温度固定,选取3个以上不同的电场,根据栅介质的击穿时间,作出hr50~￡关系图,对测量点进行线性拟合,拟合曲线的斜率即电场加速因子。应力作用下的击穿过程如图11.10所示。0.13um CMOs工艺栅氧的恒定电压试验过程中出现了明显的软击穿现象。
图1110 应力作用下栅氧的击穿
TDDB效应模型参数的提取如图11.11所示。经过计算,电场加速因子的值为2.17,激活能的值为0.56eV。于是,0.13um CMOs工艺器件栅氧的TDDB寿命评估可表示如下:
根据累计失效率0.1%的失效时间,计算出的0,13um CMOS工艺TDDB效应的寿命列于表11.10中。从表中可看出,125℃的环境工作条件、1.1倍额定工作电压下,栅氧TDDB效应的寿命大于工艺加工要求的10年寿命。
TDDB测试时使电场固定,选取3个以上不同的温度点,根据栅介质的击穿时间,作出lnr50~1/Γ关系图,对测量点进行线性拟合,拟合曲线的斜率即Ea/肟的值。 NTD70N03R-D由于庀值是个常量,根据庀值即可计算出栅介质击穿的热激活能尻。相应地,TDDB测试时使温度固定,选取3个以上不同的电场,根据栅介质的击穿时间,作出hr50~￡关系图,对测量点进行线性拟合,拟合曲线的斜率即电场加速因子。应力作用下的击穿过程如图11.10所示。0.13um CMOs工艺栅氧的恒定电压试验过程中出现了明显的软击穿现象。
图1110 应力作用下栅氧的击穿
TDDB效应模型参数的提取如图11.11所示。经过计算,电场加速因子的值为2.17,激活能的值为0.56eV。于是,0.13um CMOs工艺器件栅氧的TDDB寿命评估可表示如下:
根据累计失效率0.1%的失效时间,计算出的0,13um CMOS工艺TDDB效应的寿命列于表11.10中。从表中可看出,125℃的环境工作条件、1.1倍额定工作电压下,栅氧TDDB效应的寿命大于工艺加工要求的10年寿命。
相关技术资料- 7-3验证实例
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