随着超大规模电路器件尺寸的等比例缩小,器件生产过程中薄栅氧化层上的高电场成NJM78M05DL1A为了影响器件成品率和可靠性的主要因素。当有足够的电荷注入氧化层时,会发生氧化层介质的击穿,这种击穿可以通过在介质层上施加电流或加一个高电场来获得。由于电荷的注入会产生结构变化(陷阱、界面态等),最终导致氧化层有一条低的电阻通路,在介质层上产生不可恢复的漏电。

   与时间有关的介质击穿(TDDB)指的是施加的电场低于介质的本征击穿场强,并未引起介质的本征击穿,但经历一段时间后仍发生了击穿。这是由于施加电应力的过程中,介质膜内产生并积聚了缺陷(陷阱)的缘故。当缺陷(陷阱)在介质膜中形成导电通道,短接介质膜的正负极时,介质膜失效,这就是TDDB效应。