验证实例
发布时间:2016/7/3 17:44:23 访问次数:307
经测量,0,18um CMOS工艺器件的击穿电压为4.2V,按照加速应力电压小于90%的击穿电压的原则,NJM7805DL1A确定出器件热载流子注入效应的漏极应力电压,列于表11,7中。根据漏极应力电压确定出的栅极应力电压、衬底电流和对应的漏极电流一并列于表11.7中。图1I.6所示是饱和漏极电流退化的模型参数提取。失效判据是饱和漏极电流退化10%。
经测量,0,18um CMOS工艺器件的击穿电压为4.2V,按照加速应力电压小于90%的击穿电压的原则,NJM7805DL1A确定出器件热载流子注入效应的漏极应力电压,列于表11,7中。根据漏极应力电压确定出的栅极应力电压、衬底电流和对应的漏极电流一并列于表11.7中。图1I.6所示是饱和漏极电流退化的模型参数提取。失效判据是饱和漏极电流退化10%。
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