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测试器件

发布时间:2016/7/3 17:42:58 访问次数:316

   (1)测试器件。必须保NDP708B证使用的器件是未受过应力的器件,测试器件使用的偏压不应超过技术规范。预先受力器件相比未受应力的器件,寿命时间有明显的漂移。最优栅压可从同样过程但不同于受热载流子应力测试的器件处得到。

   (2)应力。由于退化与应力电压成指数关系,因此应对器件施加正确的应力偏压。由于探针接触不良引起的串联高电阻或由于器件短路导致的电源供电补偿极限都会引起偏差。必须确定MOsFET的栅极没有短路点,短路会使电流过多晶硅栅,从而把电压显著拉低。

   (3)中间测试。有些工艺过程在应力偏压撤销后空间参数会复原,在这种情况 下,在每个应力周期完成后应尽快测量参数,然后立即进行后续过程。当一个器件的参数退化达到指定应力结束的标准值时,也许需要越过失效时间t继续施加应力,这能保证如果退化数据的噪声比较大,数据在t附近有一个好的内插值数据。

   (4)数据分析。热载流子退化的理论假设退化与时间成指数关系,即应力时间与部分参数的变化在对数一对数坐标上是一直线关系。事实上并不总是这样,特别是应力电压接近工艺技术的工作电压时,填充这些数据也许需要考虑这些因素:如果在应力期间越过了漂移标准,就应当在周围点之间用线性内插值方法定出失效时间t;如果没有越过漂移标准,就须采用指数插值方法进行计算。如果应力电压较低,最初的几个退化测试的数据可能在测试设备上无法分辨,这些点不应包含在数据分析当中。



   (1)测试器件。必须保NDP708B证使用的器件是未受过应力的器件,测试器件使用的偏压不应超过技术规范。预先受力器件相比未受应力的器件,寿命时间有明显的漂移。最优栅压可从同样过程但不同于受热载流子应力测试的器件处得到。

   (2)应力。由于退化与应力电压成指数关系,因此应对器件施加正确的应力偏压。由于探针接触不良引起的串联高电阻或由于器件短路导致的电源供电补偿极限都会引起偏差。必须确定MOsFET的栅极没有短路点,短路会使电流过多晶硅栅,从而把电压显著拉低。

   (3)中间测试。有些工艺过程在应力偏压撤销后空间参数会复原,在这种情况 下,在每个应力周期完成后应尽快测量参数,然后立即进行后续过程。当一个器件的参数退化达到指定应力结束的标准值时,也许需要越过失效时间t继续施加应力,这能保证如果退化数据的噪声比较大,数据在t附近有一个好的内插值数据。

   (4)数据分析。热载流子退化的理论假设退化与时间成指数关系,即应力时间与部分参数的变化在对数一对数坐标上是一直线关系。事实上并不总是这样,特别是应力电压接近工艺技术的工作电压时,填充这些数据也许需要考虑这些因素:如果在应力期间越过了漂移标准,就应当在周围点之间用线性内插值方法定出失效时间t;如果没有越过漂移标准,就须采用指数插值方法进行计算。如果应力电压较低,最初的几个退化测试的数据可能在测试设备上无法分辨,这些点不应包含在数据分析当中。



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