说明S公司MOS电容样品测试的最小电容值的波动比H公司MOS电容样品测试的最小电容值的波动要大,其原因可能是S公司的MOs电容样品有较大的泄漏电流。 CAP006DG由于泄漏电流较大,当MOs系统进入深耗尽状态时,耗尽区宽度随电压增加而不能达到理论计算的最大耗尽层宽度,而理论上MOs电容值随耗尽区宽度增加而减少,因此导致测量出的最小电容值出现偏差。

   用VC++编程计算了108个电容样品的氧化层厚度、衬底浓度、平带电压和固定氧化层电荷密度,用MINITAB软件对VC抖的计算数据进行了正态拟合,并分别计算出两批样品的各个参数的均值和标准差。图917至图9.20分别是氧化层厚度分布图、衬底浓度分布图、平带电压分布图和固定电荷密度分布图。