当对接触电阻的电迁移进行评价时,设计的开尔文电阻包括两个“L”型电阻。M0280SJ200其中一个由扩散层构成,另一个由金属层构成,位于所要测量的接触区交叉处,使注入电流通过扩散区并从相对金属端流出,通过这两个引出测量电压,以测量接触电阻。测试时改变电流方向并取平均电压可以减少热失调现象。接触电阻分别有N+区的接触电阻、芦区的接触电和金属与多晶的接触电阻。这种结构用于测量接触电阻与温度的关系。

    对于接触电迁移的测试,另一种方法是采用单个接触链的形式。在这种结构中,为了减少结构中的串联电阻,两接触区的间距必须足够小,金属引出线部分的尺寸应足够大,以避免金属本身的电迁移。该结构具有开尔文结构电压引出线,此外还有一个衬底的接触区以检测结的漏电流,如图8彻所示。这种结构包含多个接触孔,各个接触孔之间通过金属相连串接而成。实际孔的数目需要根据接触电阻值的大小确定,接触孔的数量越多,产生的电压降越大。

   [1]王志功,陈莹梅,集成电路设计(第3版).北京:电子工业出版社,⒛13

   [2]李伟华。VLsI设计基础,北京:电子工业出版社,20O2

   l3]AsTM-F125qM~9钗Rcapprovcd2003) standard0匝dc for Dc 蚯gn of Flat,s“aight-Linc Tcst s位uGturcs for Dctccting ˇΙctallization opcn-Circu⒒ or Rcsistancc-Incrcasc Failure Duc to Elcciom吨ration[MCtricl

   [4]常青,陶华敏,肖山竹,卢焕章.微电子技术概论.北京:国防工业出版衣上, 2oo9

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   [7]http、抵enku.b缸du。con√、汀ew268dc7da26925c52cc5bfd2.html