工艺监测图形。按照国DAC08RC/883C军标GJBγ00―2011“合格制造厂认证用半导体集成电路通用规范”附录B中的2.2.3.5条款的工艺监测图形,承制方应具有测量特定工艺的每一晶圆类型的电特性的工艺监测图形。工艺监测图形测试结构可以采用划片槽插入式、芯片内部测试条、芯片插入式或这几种形式的组合。

   通用电参数包括方块电阻、结击穿、接触电阻、离子沾污和少数载流子寿命。MOs晶体管参数应至少包括一组测试晶体管用于晶体管参数的测量。最小晶体管组应包括一个几何尺寸足够大,以使其短沟道效应和窄沟道效应可以忽略的晶体管。还应包括几个分别表示在几何设计规则下最大的短沟道效应和窄沟道效应的晶体管。CMOs工艺应包含N型和P型晶体管。MOS晶体管参数包括阈值电压、线性跨导、有效沟道长度、导通电流、关断电流、传输延迟等。双极参数测量参数包括方块电阻、肖特基二极管参数、双极晶体管参数和隔离漏电流。GaAs参数包括方块电阻、金属绝缘体金属(MIM)电容、隔离、欧姆接触和GaAs FET参数。