双极电路的PCM测试结构的作用。薄层电阻结构,包括埋层、外延层、穿透、隔离、基区、发射区、DAC08Q金属Al的薄层电阻测试结构等,主要用来考察双极电路各工序方块电阻;接触电阻结构,包括金属与基区、金属与发射区、金属与集电区、金属与隔离区的接触电阻以及金属与基区和金属与发射区接触孔链等,主要考察各种接触电阻的大小;金属化结构,包括金属桥接和连续性、金属化电迁移结构及双桥结构等,主要用来考察金属的短断路及抗电迁移能力。

   氧化层MOs电容结构,主要用来考察金属与半导体之间的漏电:单管结构,包括各种形状尺寸的NPN单管和PNP单管、各种二极管等,主要用来考察器件参数及结完整性;栅控管结构,包括栅控二极管、栅控NPN管、栅控横向PNP管等,主要用来考察si/So2界面态及半导体表面漏电。

   图7.2所示是P+扩散、N管阈值电压测试结果。图中的实线分别是测试规范中的参数控制上下限,图中的点代表利用测试结构所得的测量数据。