与时间有关的栅介质击穿(TDDB)。TCV应包含表征栅氧TDDB的结构。 DAC08EQ应具有表征栅氧面积和周长的测试结构。应使用不同周长的栅结构,以表征栅与源或漏交叠边界,以及栅与晶体管和晶体管之间隔离氧化层交接边界的介质特性。应根据工艺允许的最坏情况电压条件和最薄的栅氧化层厚度确定TDDB的试验电场强度和温度加速因子,获得MTTF和失效分布,从MTTF可以计算TDDB的失效率。

   TCV快速测试结构要求。TCⅤ程序应包括用于评价热载流子退化的快速可靠性测试结构,以便得到快速测量与加速寿命试验结构之间的关系。

   欧姆接触退化。TCV应具有在某一温度下评估欧姆接触随时间退化的结构,特别是对GaAs器件。

   侧栅/背栅。应包括评价GaAsェ艺中FET侧栅/背栅效应的结构。

   栅下沉。栅下沉退化机理和其他沟道退化机理的FET结构。

   快速试验可靠性结构包括热载流子退化、电迁移、TDDB、接触电阻和栅扩散。晶圆验收程序的外观检查应包括GJB548方法2018阐述的主要项目(如金属化、台阶覆盖)。