在浪涌电流作用下,电路某处会出现结间短路现象,也是硅在铝中溶解并在铝中电迁移造成的。

   在NMOs集成电路中,为防止J2-Q01B-A静电损伤和浪涌电流造成栅穿,一般在输入端加有保护电路。但输出是无法加这种保护网络的,所以输出端易受静电损伤,表现为铝在硅中的电热迁移,铝在si/s⒑2界面的硅层呈丝状渗入,形成通道,导致邻近两个N+结短路,N+区到P衬底间形成约⒛00Ω的电阻,如图5.29所示。

   图5.⒛ 铝在多晶中电热迁移形成C中N+间短路的情况

   预防措施。采用硅含量为0.1%~0,3%的硅铝合金代替纯铝作互连线材料。采用硅铝合金的优点是,因膜内硅的含量己达饱和,可防止硅在铝中进一步溶解,避免了渗透坑的形成。此外它抗电迁移能力强,硬度比纯铝高,可减少机械划伤。

   采用多层金属化系统或金属硅化物代替纯铝,如用Al―Ⅱ―si、Al―(△10%,W90%)一PtSi―si多层系统等。在铝―硅之间加NCr、MO、△等用以阻止因直接接触而发生反的阻挡层,在微波及ECL电路中也有用多晶硅膜做阻挡层的。