失效模式
发布时间:2016/6/22 21:32:44 访问次数:535
失效模式。双极性A387B浅结器件E―B结退化,硅一铝反应形成的渗透坑多发生在接触孔四周,这是因为该处溶解的硅可向旁侧扩散,降低了界面处硅的含量,允许硅进一步溶解。另外边缘处⒏o2与硅应力增大了该处的溶解能力,所以在接触窗口边缘,能发生较深的渗透坑。这在双极性小功率浅结器件(如微波器件、超高速ECL电路)中容易引起E―B结退化,反向漏电增加,击穿特性由原来的硬击穿变为软击穿,明显地表现为一个电阻跨接在E―B结上,严重时造成如图5.28所示的PN结短路。铝的合金化过程中,或者在器件受到强电流冲击的过电应力时,常发生这类失效。
失效模式。双极性A387B浅结器件E―B结退化,硅一铝反应形成的渗透坑多发生在接触孔四周,这是因为该处溶解的硅可向旁侧扩散,降低了界面处硅的含量,允许硅进一步溶解。另外边缘处⒏o2与硅应力增大了该处的溶解能力,所以在接触窗口边缘,能发生较深的渗透坑。这在双极性小功率浅结器件(如微波器件、超高速ECL电路)中容易引起E―B结退化,反向漏电增加,击穿特性由原来的硬击穿变为软击穿,明显地表现为一个电阻跨接在E―B结上,严重时造成如图5.28所示的PN结短路。铝的合金化过程中,或者在器件受到强电流冲击的过电应力时,常发生这类失效。
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