为抑制静电释放,净化间所使用的手推车、工作台、设备等都必须导电,并且OP2177ARM-REEL净化间的人员和物体必须接地,通过这些方式使静电得以释放到地。先进的净化间通过位于净化间天花板内专用的离子发射器产生高电场使空气分子电离,当导电性空气接触到硅片表面时,能够中和掉硅片表面绝缘层内所带的静电荷。空气电离的另一种方式是采用软X射线辐射。通过软X射线使得带电硅片周围的空气产生大量的离子对,从而快速中和硅片表面的电荷。

   半导体制造所使用的水是超纯去离子水,去离子水主要用于硅片的化学清洗、氧化、湿法腐蚀等工艺中。去离子水中不允许有溶解离子、有机材料、颗粒、细 菌、硅土、溶解氧等沾污。水中的溶解离子来源于纳和钾这样容易形成离子的矿物质,这些溶解离子容易造成可动离子沾污。有机物质是指溶解在水中的含碳化合物,称为有机碳总量。有机沾污对氧化层薄膜生长具有破坏性作用。水中的细菌可以产生有机物,可导致氧化层、多晶硅和金属层的缺陷,某些含磷的细菌还可能导致器件的掺杂变化。城市用水中的硅土是细碎的悬浮颗粒,这些颗粒的尺寸从10A到10um。高含量的硅土能淤塞水净化设备的过滤装置,并降低热生长氧化物的可靠性。水中的溶解氧将导致硅片表面自然氧化层的形成。当水被减压时,溶解氧将从溶液中释放出来形成气泡,导致硅片表面的不完全浸润。城市水经过净化装置成为半导体制造的超纯水。净化过程包括去离子化、去离子水过滤等过程。去离子化采用特制的离子交换树脂去除电活性盐类的离子,将水的电阻率转变为18MΩ・cm

(25℃)。去离子化的水再经过反渗透技术去除更小的颗粒、金属离子、胶体和有机物质。脱气器用于去除水中的溶解气体(如氧),紫外灯用于杀灭水中的细菌。