界面陷阱在整个工作区域影响器件的性能,会影响阈值电压、跨导等参数,N沟和P沟MOsFET都要受到热载流子注入效应的影响。热载流子效应包括载流子产生注入和栅氧化层中载流子的俘获等过程。ESD5Z6.0T1G载流子注入是一种局域现象,仅仅发生在整个沟道的一部分区域中,对于NMOs器件已经报道了4种热载流子产生注入机制,如图5.4所示。 

   图5,4 热载流子注入机理

   沟道热电子(CHE,Channel Hot Elcc订on)

   部分电子在漏端附近的沟道区中被“加热”形成幸运电子。幸运电子是那些从沟道中获得的足以跨越Si/So2势垒的能量且又没有受到任何能量损失的碰撞电子,运电子注入到栅氧化层中会形成栅电流。这种热电子对氧化层的注入就是沟道热电子注入。