最简单的低成本、中速数字Bi￡MOs工艺只需要向一个现有的N阱CMOs工 艺额外增加一块用于形成轻掺杂的P型区域的掩膜版,该区域用做双极型晶体管的P型基极,CMOs的N阱做晶体管的集电极。 EPF8636ALC84-4图4.30所示为Bi-CMOs结构示意图。三极管的发射极由CMOs工艺中NMOs的源漏注入完成,器件之间的隔离采用LOCOS隔离。衬底可以为P型,也可以为/型衬底上的一个P型外延层。这种工艺被称为3次扩散(Trip⒗-DⅡ诋cd,3D)Bi￡MOsェ艺,因为双极晶体管是通过3次扩散而成的。3D双极型晶体管最大的缺点是集电极串联电阻(Rc)大。

   对于N阱的集电极而言,这个电阻值的大小一般为2kΩ/。在强电流条件下,Rc值偏大可导致基极-集电极结的内部偏置减小,使得驱动电流变小,从而导致门延迟增大。