另一个最为关键的方面是保持栅氧的完整性。清洗工艺可能会破坏栅氧从而使其粗糙, OP262DRUZ-REEL尤其是较薄的栅氧更易受到损害。在MOs传感器中,栅氧是用来做绝缘介质的,因此它必须具有=致的结构、表面状态和厚度。栅氧的完整性是靠测试栅的电性短路来测量的。半导体工业协会(sIA)的国家半导体技术路线图指出,在180nm的长度上,用5MV/cm的电压测试30s,缺陷密度应低于0.Ⅱ缺陷/cm2。

   对于后道工序(Bcfore End of unc,BEOL)的清洗,除了颗粒问题和金属离子的问题,通常的问题是阴离子、多晶硅栅的完整性、接触电阻、过孔的清洁程度、有机物以及在金属布线中总的短路和开路的数量,光刻胶的去除也是FEOL和BEOL都存在的重要清洗工艺。

   不同的化学物质与清洗方法相结合以适应工艺过程中特殊步骤的需要。典型的FEOL清洗工艺(如氧化前的清洗)包括颗粒去除(机械的)、通常的化学清洗(如硫酸、氢气、氧气)、氧化物去除(典型的稀释的HF)、有机物和金属去除(SC―D、碱金属和氢氧化物去除(SC―2)、漂洗步骤和晶圆烘干,如表3,12所示。

   该种FEOL清洗称为非HF结尾的工艺。其他的类型是以HF去除工艺收尾的清洗。非HF结尾的表面是亲水性的,可以被烘干而不留任何水印,同时还会生成(在清洗过程中形成)一层薄的氧化膜从而对其产生保护作用。这样的表面也容易吸收较多的有机污染物。HF结尾的表面是憎水性的,在有亲水性(氧化物)表面存在时不容易被烘干而不留水印。这样的表面由于氢的表面钝化作用而异常稳定。对于HF结尾或非HF结尾工艺的选择,取决于晶圆表面正在制造的器件的敏感度及其对清洁程度的要求。