晶闸管闭环效应。CMOS集成电路中含有P沟道和N沟道MOs场效应晶体管,ADC0848CCV其制作工艺按衬底导电类型的不同分为P阱CMOs工艺和N阱CMOs工艺。在CMOs电路中存在NPNP寄生晶间管结构,在一定条件下会被触发,电源到地之间便会流过较大的电流,并在NPNP寄生晶间管结构中同时形成正反馈过程,此时寄生晶闸管结构处于导通状态,只要电源电压不降至临界值以下,即使触发信号已经消失,已经形成的导通电流也不会消失,引起器件的烧毁。这就是CMOs电路的寄生晶闸管效应,也称闩锁效应,简称闩锁(Latch-up)。

    随着集成度的提高,尺寸的缩小,掺杂浓度提高,寄生管的放大倍数变大,更易引起闩锁效应。